아이피에스, Ru 박막증착방법 특허 취득

입력 2006-09-20 11:44

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아이피에스는 20일 Ru 박막증착방법과 관련해 특허를 취득했다고 밝혔다.

아이피에스 관계자는 "본 발명은 커패시터 공정에서 전극으로 사용되거나 배리어(barrier) 재료로 사용되는 Ru박막을 효과적으로 증착할 수 있는 Ru 박막증착방법에 관한 것"이라고 설명했다.

이어 "Ru 막의 형성 전에 버퍼층을 형성함으로써, Cu등의 배리어 재료로 사용될 경우 콘택트 저항의 증가를 방지하고 후공정에서의 하부막과의 막 분리 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있다"고 덧붙였다.

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