하이닉스, 30나노급 4Gb D램 개발…생산성 70% 향상

하이닉스반도체는 29일 세계 최초로 30나노급 기술을 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 또한, 30나노급 2Gb DDR3 D램 개발도 완료해 내년 1분기 양산에 들어갈 예정이다.

세계 최초로 개발된 30나노급 D램은 향후 대용량 서버와 고사양의 컴퓨터에 들어가게 된다. 하이닉스는 이 제품을 통해 향후 프리미엄 제품시장을 선점한다는 계획이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상되어 원가경쟁력을 강화할 수 있다. 데이터 전송속도도 60% 가량 빨라졌다.

30나노급 D램이 구현한 2133Mbps의 데이터 전송속도는 영화 3~4편에 해당되는 4.2기가바이트(GB)의 데이터를 1초 안에 내려받을 수 있는 속도다.

또한, 30나노급 2Gb 서버용 제품은 1.25V의 저전압과 친환경 기술을 적용해 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

하이닉스는 30나노급 D램 개발로 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보해 후발업체와의 기술 격차를 더욱 확대할 수 있게 됐다.

하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2Gb 제품으로 생산하고 있으며, 향후 고용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4Gb 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.

한편 시장조사기관 아이서플라이는 2Gb D램 비중이 2010년 4분기 30% 수준에서 2011년 3분기에 50%를 넘어설 것으로 전망하고 있다. 4Gb D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년에 43%까지 비중이 확대될 것으로 내다봤다.