中 CXMT·美 마이크론 ‘쌍끌이 추격’⋯K메모리 초격차 흔들

CXMT 등 中기업, HBM 집중 삼전닉스 빈틈된 D램 공략
마이크론, 연말까지 생산능력 2배 이상 확대 추진

▲창신메모리(CXMT) 로고 뒤로 중국 오성홍기가 보인다. 로이터연합뉴스

글로벌 메모리 시장을 주도해온 삼성전자와 SK하이닉스를 겨냥한 중국과 미국 반도체 업계의 추격이 거세지고 있다. 한국 기업들은 최대 생산능력과 첨단 기술력을 앞세우지만 막대한 자금과 시장을 확보한 중국과 공격적 투자를 서두르는 미국 업계를 상대로 더 이상 초격차 유지를 장담할 수 없다는 분석이 나온다.

19일 연합뉴스에 따르면 2분기 글로벌 메모리 업계 영업이익률 1위와 2위는 순서대로 중국 창신메모리(CXMT)(82%)와 미국 마이크론(80.4%)이 차지했다.

SK하이닉스와 삼성전자 DS(반도체) 부문도 각각 76.3%, 70%로 역대 최고 이익률을 기록했으나 CXMT와 마이크론에는 미치지 못했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 시장조사업체 트렌드포스가 집계한 2분기 D램 시장 점유율은 각각 39.4%와 24.9%로 1, 2위를 지켰지만, 합산 점유율은 1분기 67.3%에서 2분기 64.3%로 낮아졌다.

반면 3위 마이크론은 22.4%에서 23.3%로 점유율을 끌어올리면서 1분기 6.4%p(포인트)에 달하던 2위 SK하이닉스와의 격차를 1.6%p까지 좁혔다. 특히 4위 CXMT는 7.6%에서 9.5%로 점유율을 높이면서 메모리 3강에서 4강 체제로의 판도 변화에 나설 태세다.

CXMT의 성장 배경으로는 범용 메모리 수요 증가가 꼽힌다. 삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI)용 HBM 등 고부가 메모리에 생산 역량을 집중하는 사이 범용 메모리 공급이 줄면서 가격이 상승했고, 중국 업체들이 이 시장에서 생산량을 확대할 수 있는 여지가 커졌다는 분석이다.

CXMT는 최근 기업공개(IPO)를 통해 약 14조 원의 자금을 확보한 것으로 알려지면서 생산능력 확대에도 속도를 내고 있다. 연구개발(R&D) 투자도 늘리며 첨단 메모리 제품으로 사업 영역을 넓히는 모습이다. CXMT는 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화한 데 이어 HBM3E 테스트에도 나서는 등 고부가 메모리 시장 진입을 추진하고 있다.

최태원 SK그룹 회장도 최근 중국 업계의 추격 가속화를 언급하며 "SK하이닉스도 과거보다 10배 빠르게 해야 한다. 그것이 지금 가장 어려운 숙제"라고 토로하기도 했다.

HBM 시장에서도 중국, 미국, 한국 간 주도권 쟁탈전이 이어진다. 현재 HBM 시장은 SK하이닉스가 현세대 HBM3E로 주도하는 가운데, 삼성전자가 차세대 HBM4로 앞서가고 있다. 시장조사업체 카운터포인트리서치가 집계한 2분기 HBM 시장점유율은 SK하이닉스 50%, 삼성전자 33%, 마이크론 18% 순이었다.

그러나 마이크론은 2025년까지 웨이퍼 기준 월 4만~5만 장 수준인 HBM 생산능력을 연말까지 월 10만 장 수준으로 높일 계획으로 알려졌다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 생산능력은 월 15만~20만 장 수준으로 추정된다.

또 마이크론은 2분기 양산을 시작한 HBM4이 매출 10억 달러를 넘긴 데 이어, 생산 비중도 연말까지 전체의 50%를 넘길 수 있을 것으로 기대하고 있다. 이에 따라 마이크론은 애초 200억 달러(약 28조원)로 제시했던 2026 회계연도 설비투자(캐펙스·CAPEX) 계획을 최근 270억 달러(약 37조 원)로 상향 조정했다.