차세대 메모리 특허출원, PRAM이 가장 활발

기존 생산설비를 이용한 양산 및 고집적화 쉬워

기존 플래시메모리, DRAM 등 단점을 극복할 수 있는 차세대 메모리 개발 경쟁이 치열한 가운데 PRAM에 대한 특허출원이 가장 활발한 것으로 나타났다.

PRAM은 상변화물질을 전기적으로 가열해 물질이 저항이 약한 결정상태로 되느냐, 저항이 강한 비정질상태로 되느냐에 따라 정보를 저장하고 판독하는 방식의 메모리 소자다.

특허청에 따르면, 지난해동안 국내 출원된 PRAM관련 특허는 204건으로 경기침체로 지난해(223건)에 비해서는 약간 감소했다.

그러나 다른 종류의 차세대 메모리인 FeRAM, MRAM, ReRAM의 특허출원이 각각 20건, 53건, 66건에 그쳤던 데 비해서는 압도적으로 많은 것으로 집계됐다.

이는 PRAM이 전력을 차단해도 정보를 기억하는 플래시메모리의 장점과 고속 동작이 가능한 DRAM 장점을 모두 갖추고 있기 때문이다.

특히 기존 생산설비를 이용한 양산 및 고집적화가 쉬워 기업들도 현재까지는 PRAM이 가장 경쟁력 있는 차세대 메모리라고 판단하는 것으로 분석된다.

출원인별로는 하이닉스 148건(72.5%), 삼성전자 37건(18.1%), 한국전자통신연구원 등 국내 연구소 9건(4.4%), 마이크론 테크놀로지 등 외국 기업 10건(4.9%) 등으로 주로 국내 기업들의 출원하고 있다.

국내 PRAM 연구를 주도하는 삼성전자와 하이닉스는 각각 뉴모닉스와 PRAM 원천기술 보유기업인 오보닉스와 기술 협력을 통해 기반기술 확보에 주력해 왔다.

지난달에는 삼성전자가 PRAM 양산을 시작했다는 소식이 전해짐에 따라 PRAM의 상용화도 조만간 본격화될 것으로 예상된다.

이에 따라 관련 업계는 MP3, 휴대폰, 디지털카메라 등 각종 IT 제품에 사용되는 플래시메모리를 훨씬 작고 빠른 PRAM이 대신함으로써, IT 제품들의 성능이 향상될 것으로 내다보고 있다.

특허청 관계자는 “현재 플래시메모시가 전 세계적으로 연 200억 달러 이상의 거대시장을 형성하고 있다”며 “시장 선점을 위한 기업들의 PRAM 개발 경쟁은 더욱 가속화될 것이며, 관련 특허출원도 지속적인 증가가 예상된다”고 전망했다.