삼성 “내년 HBM 이미 완판, 증산까지 검토”…HBM4도 준비 완료

▲22일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2025'에 마련된 삼성전자 부스에 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4와 HBM3E 실물이 전시돼있다. (연합뉴스)

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM) 사업 호조세가 내년까지 이어질 전망이다. 이번에 HBM3E(5세대)가 엔비디아 공급망 진입에 성공하면서 내년 개화하는 차세대 제품 HBM4(6세대) 역시 무난히 공급에 성공할 것이란 기대감이 커지고 있다. 파운드리 역시 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 양산을 본격화하면서 기술적·실적 성장을 이어갈 방침이다.

삼성전자 관계자는 30일 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “내년 HBM 생산 계획분에 대한 고객 수요를 이미 확보했다”며 “내년 생산 계획은 올해 대비 매우 대폭 확대 수립했다”고 말했다.

현재 HBM은 인공지능(AI) 시장 확대로 공급이 수요를 따라가지 못하는 현상이 심화하고 있다. 삼성전자 관계자는 “추가적 고객 수요가 지속 접수되고 있어 HBM 증산 가능성에 대해 내부에서 검토하고 있다”고 설명했다.

내년 본격화하는 HBM4 시장에 관해서도 강한 자신감을 내비쳤다. 엔비디아가 내년 출시하는 차세대 그래픽처리장치(GPU) ‘루빈’에 HBM4를 탑재하기로 하면서 시장의 주류가 HBM3E에서 HBM4로 빠르게 전환될 예정이다.

이에 삼성전자는 HBM4에 타사보다 한 세대 앞선 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 적용하며 승부수를 띄웠다. 최근 개최된 ‘SEDEX 2025(반도체대전)’에서 HBM4 실물을 처음으로 공개하기도 했다. 현재 현재 HBM4 샘플을 모든 고객사에 출하한 상황이다.

삼성전자 관계자는 HBM4에 관해 “최근 고객사 사이에 GPU 경쟁 심화로 기존 계획을 변경해 더 높은 성능을 요구하고 있다”며 “당사는 개발 단계부터 사전 반영해 고객 요구 상회하는 제품 개발했다”고 말했다.

▲삼성전자 평택캠퍼스. (연합뉴스)

파운드리 역시 영업손실 규모가 크게 축소하면서 본격적인 훈풍이 기대된다. 실제로 수주 성과도 속속 이어지고 있다.

삼성전자는 최근 테슬라와 22조8000억 원의 역대 최대 규모의 공급 계약을 맺고, 미국 테일러 공장에서 테슬라의 차세대 AI칩 ‘AI6’을 생산하기로 했다. 또 그간 대만의 TSMC가 생산하던 ‘AI5’ 역시 생산에 참여해 추가 물량을 확보했다.

내년 자사의 플래그십 스마트폰인 ‘갤럭시 S26 시리즈’에 탑재될 것으로 관측되는 모바일 애플리케이션 프로세스(AP)인 ‘엑시노스 2600’도 2나노 공정으로 준비 중이다.

삼성전자 관계자는 “4분기에는 2나노 1세대 공정을 적용한 신제품을 본격적으로 양산하고, 미국 및 중국 등 주요 거래선의 HPC, 오토 수요와 메모리 확대로 매출이 증가할 예정”이라며 “지속적인 가동률 개선과 원가 효율화로 실적이 추가 개선할 것으로 기대한다”고 내다봤다.

미래 투자에도 집중한다. 삼성전자는 올해 시설투자에 약 47조4000억 원을 집행할 계획이다. 이중 반도체에 대부분인 40조9000억 원을 투입한다. 내년 역시 고부가 가치 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환과 기존 라인 보완 투자에 나선다.

삼성전자 관계자는 "2026년 메모리 투자는 적극 투자 기조하에 전년 대비 상당 수준의 증가를 고려하고 있고 전체 투자 중 D램 비중은 전년 대비 증가할 전망"이라며 “D램은 1b·1c 나노 제품 포트폴리오 구축을 기반으로 첨단 비트 증산을 위한 설비 투자에 집중하는 가운데 중장기 미래 수요 대응을 위한 건설 투자도 일부 집행될 예정”이라고 말했다.