
삼성전자가 올해 2분기 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 미국 마이크론에 밀려 3위를 차지했다. 다만 향후 엔비디아 공급망에 HBM3E(5세대) 제품 인증을 마치고, HBM4(6세대) 양산을 시작하면 내년에 점유율을 30%까지 높일 수 있을 것으로 보인다.
24일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 2분기 HBM 시장 점유율은 출하량 기준 SK하이닉스 62%, 마이크론 21%, 삼성전자 17% 순으로 나타났다.
삼성전자와 SK하이닉스의 합산 점유율이 79%로 집계됐다. 한국 기업이 전 세계 HBM 10개 중 8개를 생산하고 있는 셈이다.
2분기 삼성전자는 예상보다 저조한 시장 점유율을 기록했지만, 최근 주요 고객향 HBM3E 제품 인증과 내년 HBM4 수출을 기반으로 점유율을 확대해 2026년에는 점유율이 30%를 상회할 것으로 예상된다.
삼성전자는 현재 엔비디아에 5세대 HBM인 HBM3E 12단을 공급하기 위한 막바지 단계에 돌입했다. HBM4에서는 타사보다 한 세대 앞선 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 적용하며 승부수를 띄운 상황이다. 현재는 글로벌 주요 고객사에 샘플을 출하했다.
중국은 최근 자체 개발 HBM을 공개하며 한국을 위협하고 있지만, 기술적 성능이 아직 미흡한 것으로 나타났다.
최정구 카운터포인트리서치 책임연구원은 "중국은 창신메모리테크놀로지(CXMT)를 중심으로 HBM3(4세대) 개발을 추진하고 있으나 동작 속도와 발열 등 기술적 문제를 아직 해결하지 못해 당초 올해로 예상됐던 출하는 내년 하반기에나 가능할 것으로 보인다"며 "최근 이슈가 된 화웨이의 자체 HBM 역시 일반적인 HBM 제품 대비 속도가 절반 이하에 불과한 초기 단계 제품으로 판단된다"고 말했다.
이어 "장기적으로 SK하이닉스와 삼성이 HBM시장을 선도할 것으로 보이지만 지정학적 이점을 지닌 마이크론과 중국의 물량 공세에 대한 대비도 필요하다"고 덧붙였다.



