"3D D램 개발 박차"…삼성전자, 美에 R&D 조직 신설

▲삼성 DS 미주총괄 사옥 전경 (자료출처=삼성전자)

삼성전자가 미국에 3차원(3D) D램 개발을 담당할 연구개발(R&D) 조직을 만들고 기술 경쟁력 확보에 나섰다.

28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 3D D램 개발 연구를 담당할 조직 'R&D-Dram Path Finding'(D램 패스 파인딩)을 신설했다.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 그러나 공정 선폭이 작아지면서 셀 면적을 줄이는 데 한계에 부딪혔다. 이에 업계에서는 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식 등을 연구하고 있다.

삼성전자는 지난해 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입한다고 밝히기도 했다. 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서도 3D D램 연구성과가 담긴 논문을 발표했다.

한편 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 바 있다. 이러한 경험을 토대로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발에 나설 계획이다.