[반ㆍ디는 위기인가] '겨울' 와도 투자는 계속된다…韓 반·디, 초격차 위한 달음박질

입력 2021-10-04 18:00

▲SK하이닉스 이천 M16 공장 전경 (사진제공=SK하이닉스)
▲SK하이닉스 이천 M16 공장 전경 (사진제공=SK하이닉스)

위기에 봉착한 국내 반도체ㆍ디스플레이 기업이 택한 길은 대규모 투자를 통한 초격차 수성이다. 주력 부문에선 기술 격차를 유지하는 동시에, 신성장동력을 키우기 위해서다.

국제반도체장비재료협회(SEMI)에 따르면 한국의 내년 반도체 전체 공정 설비 투자액이 약 300억 달러에 달할 전망이다. 전 세계 반도체 설비 투자액 중 30%(1위)를 차지하는 수치로, 정부를 등에 업고 산업에 총력을 쏟아붓고 있는 대만, 중국도 뛰어넘는 수치다.

이 중심엔 올해 시설투자 최대치를 경신할 것으로 전망되는 삼성전자가 있다.

삼성전자는 내년 하반기 완공을 목표로 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택캠퍼스 P3를 짓는 중이다. 이 공장은 메모리와 파운드리 라인이 공존하는 복합 생산기지다. 공장의 길이가 700m로 P2(400m)의 1.75배, 전체면적 70만㎡ 규모로 단일 반도체 설비 중 세계 최대 규모다.

이에 따라 전체 투자금액도 각각 30조 원가량이 투입된 P1, P2보다 늘어날 것으로 관측된다. 특히 P3에 반입되는 EUV(극자외선) 장비가 대당 2000억 원을 호가하는 초고가라는 점을 고려하면, 투자비가 40조~50조 원에 달할 수도 있다는 전망도 나온다.

미국 제2파운드리 공장 부지 확정 시점도 임박했다. 미국 텍사스주 윌리엄슨 카운티가 주요 후보로 언급된다. 3nm(1나노m=10억분의 1m)급 초미세공정 제품이 생산될 것으로 전망되는 이 공장엔 170억 달러(약 20조 원)에 달하는 금액이 투입된다.

SK하이닉스도 내년 신규 팹인 이천 M16에 대한 시설투자를 이어간다. 주요 제품은 초미세공정의 핵심 기술인 극자외선(EUV) 기술을 적용한 4세대 10나노급(1a) D램, 5세대 1b 10나노급 D램이다.

업계에선 메모리 반도체 업황에 대한 부정적인 시각이 확대하는 상황에서도 투자 규모가 우상향하는 이유에 주목해야 한다고 본다. 이번 하락 사이클을 넘어서기 위한 기업들의 대처 방식에 중대한 차이가 있다는 것이다.

메모리 반도체 산업의 바로 직전 '겨울'이었던 2018년 말과 2019년 사이, 삼성전자와 SK하이닉스는 공급과잉 사태를 피하고자 시설투자 금액을 일제히 줄였다. 반면 올해와 내년은 대규모 투자를 이어가지만, 무분별한 생산능력 향상보다는 기술 고도화와 수율 등 생산성 증대에 방점을 둔다. 한 마디로 해외 경쟁사를 기술적 우위로 따돌리기 위한 '초격차 전략'이다.

황민성 삼성증권 연구원은 "올해 역대 최고급 설비투자, 내년에도 같은 수준이 예상되지만, 인프라 투자가 절반 이상이고 가동은 수요에 따라 진행된다"라며 "선제적 인프라 투자를 통해 불확실한 수요에 대비하지만, 실제 생산능력의 램프 업(공정 최적화)은 수요에 따라 신축적으로 운영하는 것"이라고 설명했다.

디스플레이 업계에선 수익성 높은 OLED 투자에 박차를 가하고 있다. LG디스플레이는 지난달 중순 중소형 OLED 시설 투자에 3조3000억 원 투자를 결정했다. 이달엔 베트남 법인에 14억 달러(1조6000억 원) 규모의 투자 계획도 밝혔다. 이를 통해 OLED 모듈 라인을 증설한다는 계획이다.

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