[컨콜] 삼성전자 "EUV 적용 14나노 D램, 원가 절감 효과 클 것"

입력 2021-07-29 11:48

삼성전자는 29일 진행된 2분기 실적 콘퍼런스 콜에서 "14나노 D램은 현재 14나노대에서 구현 가능한 최소 선폭을 채용했다"라며 "EUV(극자외선)를 다섯 레이어에 적용한 DDR5 D램 제품은 샘플링 절차를 거쳐 하반기 양산할 것"이라고 밝혔다.

이어 "1개 레이어에서 EUV를 적용한 15나노대 제품에서 원가 교차점(크로스 포인트)을 넘었기 때문에, 다섯 개 레이어를 적용하면 원가 감소폭이 훨씬 클 것이라고 예상 가능하다"라고 했다.

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