삼성전자, 세계 최초 50나노 D램 시대 개막

D램도 드디어 50나노 시대에 돌입했다.

삼성전자가 지난 9월 신개념 CTF 기술을 적용한 세계 최대 용량 40나노 32기가 낸드플래시 개발 성공에 이어 이번에는 '3차원 입체 트랜지스터'신기술 및 '복합 유전층' 신물질을 적용, 세계 최초로 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공했다.

50나노 공정은, 현재 양산 중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 80나노 제품 대비 생산성을 2배 향상시켰으며, 작년 삼성이 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서는 생산성이 55% 향상된 최첨단 공정 기술이다.

삼성은 이번 개발로, 개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년 이상 확대할 전망이며, 양산 측면에서도 본격 양산이 예상되는 2008년부터 독보적 수익성을 유지할 수 있는 기반을 확보했다.

최근 다소 주춤했던 PC 시장이 윈도우 비스타의 출현으로 또 다시 활기를 되찾기 시작했으며, PC 이외 응용처의 다양화 추세도 더욱 심화되고 있다.

D램 산업은 이 두가지 메가 트렌드의 상호 상승작용으로 앞으로 수년간 지난 95년 이후 최대 호황기를 맞이할 전망이다. 하지만 이에 비례하여 시장에서의 경쟁은 더욱 치열해 질 것으로 예상된다.

2008년부터 향후 4년간 550억불의 시장 형성이 예상되는 50나노 D램 시장을 선점할 수 있게 된 삼성전자의 50나노 1기가 D램 개발의 의의는 매우 크다고 할 수 있다. D램의 수요처가 PC는 물론, 모바일, 디지털 컨수머, 게임기 등 IT 산업 거의 전분야로 빠르게 확산되고 있다.

특히 향후 수년간은 윈도우 비스타 효과까지 가세, 그 파괴력이 D램 산업이 생긴 이래 가장 클 것으로 보이는 이 시점에의 개발 성공이라 더더욱 크다는 것이 업계의 평가다.