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[종합] SK하이닉스, 中 우시 신공장 준공…D램 선두 지위 굳힌다

▲이석희 SK하이닉스 CEO가 4월 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(사진제공 SK하이닉스)
▲이석희 SK하이닉스 CEO가 4월 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.(사진제공 SK하이닉스)

SK하이닉스가 중국 우시에 D램 생산라인을 늘리며 ‘글로벌 D램 선두지위’ 굳히기에 나선다. 세계 3위 D램 생산 업체인 미국 마이크론이 최근 D램 감산을 선언한 상황에서 2위인 SK하이닉스가 삼성전자와의 격차도 줄일 수 있을 것으로 업계는 내다보고 있다.

SK하이닉스는 18일 중국 우시에서 확장팹(C2F) 준공식을 개최했다. C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로, SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 생산라인 확장을 결정했다.

‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 열린 이 날 준공식 행사에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.

하지만, 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억 원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다. 이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.

▲SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자 들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다. 왼쪽 7번째부터 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 이석희 SK하이닉스 CEO, 최영삼 상하이 총영사(사진제공 SK하이닉스)
▲SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자 들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다. 왼쪽 7번째부터 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 이석희 SK하이닉스 CEO, 최영삼 상하이 총영사(사진제공 SK하이닉스)

SK하이닉스 중국 장쑤성 우시 파운드리 공장이 내년 완공되면, 다양한 고객을 확보하고 수익성도 높일 수 있을 전망이다. C2F가 본격적으로 가동되면 공장의 전체 D램 생산 능력은 기존의 2배로 늘어나게 된다. 현재 C2의 최대 생산능력은 월 10만 장 정도로 알려져 있는데, C2F 가동으로 월 최대 18만 장 규모의 웨이퍼 생산이 가능해질 것으로 예상된다. C2F에서는 10나노급 D램 제품이 생산될 계획이다.

업계는 이번 SK하이닉스의 C2F 가동으로 D램 선두지위가 더욱 공고해질 것으로 내다보고 있다. 세계 2위 D램 생산 업체인 미국 마이크론은 최근 D램 가격 하락을 이유로 감산을 선언했다. 2위인 SK하이닉스의 D램 생산능력이 늘어나게 되면서 삼성전자와의 격차도 좁혀질 것으로 예상된다.

SK하이닉스 메모리 생산라인은 2005년 가동을 시작한 경기도 이천 M10(D램)을 비롯해 청주 M11·M12·M15(낸드), 이천 M14(D램·낸드)와 중국 우시 C2·C2F(D램) 등으로 늘어나게 됐다. 경기도 이천에 차세대 첨단 미세공정인 EUV(극자외선) 장비를 도입한 M16 생산라인도 2020년 10월 완공할 계획이다.

SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다“며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.

한편, SK하이닉스는 반도체 ‘슈퍼호황’에 힘입어 지난해 매출액 40조4450억 원과 영업이익 20조8440억 원을 각각 기록하면서 2년 연속 신기록을 썼다. 그러나 작년 하반기 메모리 수요 둔화로 작년 4분기 매출 9조9380억 원, 영업이익 4조4300억 원을 달성하며 어닝쇼크를 기록했다. 올해 1분기에도 영업이익은 지난해 같은 기간보다 60% 하락할 것으로 예상된다.

▲SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR5 D램. 사진제공 SK하이닉스
▲SK하이닉스가 개발한 2세대 10나노급(1y) DDR5 D램. 사진제공 SK하이닉스

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